本發明提供了一種混雜基體SiCf/SiC復合材料及其制備方法,所述方法包括:對SiC纖維預制件進行預處理,并在SiC纖維預制件的表面沉積一層PyC界面層或BN界面層;將沉積界面層的SiC纖維預制件放置在SiC沉積爐中,以氫氣鼓泡三氯甲基硅烷作為源氣,氬氣為稀釋氣體,得到沉積有CVI SiC基體的中間體;將中間體真空浸漬在聚碳硅烷溶液中,得到PIP SiC基體,同時重復PIP循環周期5~6次,即得混雜基體SiCf/SiC復合材料。本發明方法顯著降低了制備復合材料的閉孔率,提高了其致密度以及顯微組織均勻性,其力學性能、性能穩定得到了顯著提高。
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