本發明公開了一種聚噻吩/石墨烯/凹凸棒土導電復合材料的制備方法,其包括石墨烯包覆凹凸棒土的制備,聚噻吩/石墨烯/凹凸棒土導電復合材料的制備。本發明采用光催化還原氧化石墨烯對凹凸棒土進行包覆,使得在凹凸棒土表面形成一層石墨烯內導電層,然后以噻吩為單體、氯化鐵為氧化劑,采用原位化學氧化聚合法對石墨烯包覆凹凸棒土再進行包覆,在石墨烯包覆凹凸棒土表面形成一層聚噻吩外導電層,使制得的聚噻吩/石墨烯/凹凸棒土導電復合材料不僅具有優異的導電性能和機械性能,還具有良好的柔韌性、耐熱性和化學穩定性,可廣泛用于制作抗靜電涂料。
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