本發明公開了一種碳化鈦彌散強化銅基復合材料的自蔓延高溫合成制備方法:以粒度均小于100目,純度均大于99%的Cu粉、Ti粉和C粉為原料,將一定量的Cu粉、Ti粉和C粉(Cu粉與Ti+C粉的質量比為50∶50~70∶30,其中Ti粉與C粉的摩爾比為1∶1)混合后在室溫下高能球磨3~10小時;然后將混合粉末冷壓成型;最后在真空室內采用電弧引燃壓坯,通過壓坯的自蔓延高溫合成制備TiC彌散強化的銅基復合材料,TiC顆粒的平均粒徑為2~8μm。本發明采用簡單的自蔓延高溫合成方法,使純Cu粉、Ti粉和C粉原位反應合成制備TiC彌散強化銅基復合材料,具有工藝簡單、生產成本低、產品產量和質量高等優點。
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