本發明涉及直接引入與原位生成TiC顆粒共同增強鎳基復合材料及其制備方法和應用,所述復合材料包括鎳基合金基體、以及均勻分布在所述鎳基合金基體內的直接引入的TiC顆粒和原位生成的TiC顆粒,其中,原位生成的TiC顆粒占總TiC的質量分數為10~40wt.%。本發明的直接引入與原位生成TiC顆粒共同增強鎳基復合材料有效地降低了鎳基合金的熱膨脹系數,同時保持良好的線性膨脹行為與較高導電率。
聲明:
“直接引入與原位生成TiC顆粒共同增強鎳基復合材料及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)