本發明提供了一種中子屏蔽的聚合物復合材料、制備方法、線材及應用,涉及3D打印材料技術領域,能夠實現氮化硼納米片在聚乙烯基體中的均勻分布,通過FDM打印成型為具有中子屏蔽性能的復雜形狀制件;該復合材料的組分包括:聚乙烯基體,質量百分比為80?98.8%;氮化硼納米片,質量百分比為1?20%;增塑改性劑,質量百分比為0.2?2%;所述聚合物復合材料的制備過程包括:將上述原料混合后在150?190℃環境下熔融造粒得到。本發明提供的技術方案適用于3D打印以及材料制備的過程中。
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“中子屏蔽的聚合物復合材料、制備方法、線材及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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