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            > 在C/SiC復合材料上制備陶瓷防護層的方法以及由此制得的陶瓷防護層

            在C/SiC復合材料上制備陶瓷防護層的方法以及由此制得的陶瓷防護層

            1003   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:50:03
            本發明涉及一種在C/SiC復合材料上制備陶瓷防護層的方法以及由此制得的陶瓷防護層。所述方法為:通過浸漬?固化?高溫裂解工藝在C/SiC復合材料的表面制得ZrC?SiC過渡層,浸漬液為含有鋯和硅的重量比為(1~8):1的鋯硅一體化陶瓷前驅體溶液;通過刷涂工藝在所述ZrC?SiC過渡層的基礎上制得ZrC抗氧化涂層;通過化學氣相沉積法在所得到的ZrC抗氧化涂層表面沉積SiC封孔層,由此在C/SiC復合材料上制得陶瓷防護層。本發明制備的陶瓷防護層能夠在2000℃以上溫度具有優異的抗氧化性能,還與基體具有較高的結合力,在新型高超聲速飛行器的翼舵、前緣、端頭、發動機等結構件上具有廣闊的應用前景。
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