本發明屬于金屬基復合材料技術領域,公開一種Cu/SiO2?Cu2O/SiC金屬基復合材料及其制備方法,所述制備方法包括在SiC粉體表面包覆SiO2?Cu2O復合物,制得SiC/SiO2?Cu2O復合氣凝膠,隨后向所述復合氣凝膠中加入Cu粉,混合均勻后將其于800~950℃溫度下進行熱壓燒結,即獲得金屬基復合材料;其中,所述Cu粉體與所述SiC/SiO2?Cu2O復合氣凝膠的體積比為1:0.01~0.2。本發明采用SiO2?Cu2O作為Cu與SiC界面過渡相,通過調控界面結構減小SiC與Cu潤濕角,改善界面結合狀態、力學性能及電學性能;且本發明的Cu/SiO2?Cu2O/SiC金屬基復合材料硬度最高達到1.4GPa;0~200℃電導率不隨測試溫度改變而變化,200~400℃電導率隨測試溫度的增加而緩慢增加,400~900℃電導率隨測試溫度的增加而急劇增加。
聲明:
“Cu/SiO2-Cu2O/SiC金屬基復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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