一種聚合物裂解-反應熱壓制備納米SiC顆粒增強MoSi2基復合材料的方法,包括以下步驟:將聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶劑,加入Si粉,混合均勻后,加熱揮發除去有機溶劑;將表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性氣氛中裂解,最高裂解溫度1000~1350℃,升溫速度0.5~10℃/min;測定復合粉末的碳與硅的含量,得出復合粉末中SiC和Si的量,按摩爾比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉,混合,反應熱壓制備;熱壓工藝為:升溫速度20~100℃/min,熱壓溫度1450~1700℃,壓力20~50MPa,保溫30~120min,真空或惰性氣體保護。本發明材料經XRD檢測表明,僅含MoSi2和SiC兩相。本發明材料是在不降低MoSi2抗高溫氧化性前提下,最大限度地改善了MoSi2基復合材料的室溫和高溫力學性能。
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