本發明涉及一種氣相滲硅工藝制備高致密纖維 增強SiC基復合材料的制備方法。首先采用氣相或液相途徑在 纖維表面形成保護層界面,然后通過在納米SiC漿料浸漬、裂 解,制備成具有一定致密度的纖維增強SiC基的預制體。再通 過浸漬裂解方式向預制體中引入碳,形成具有一定孔隙的基 體,經高溫處理后,以氣相硅的方式滲透多孔體內部,與碳反 應并填充孔隙,得到致密基體。通過該工藝制成碳纖維增強SiC 陶瓷基復合材料密度達到2.25- 2.30g/cm3,開口空隙率在3-6 %,大大高于傳統化學氣相滲透法或有機前驅物浸漬裂解解法 得到Cf/SiC材料。
聲明:
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