本發明屬于電子封裝材料領域,主要應用于集成電路、激光器件等半導體行業中的金屬封裝行業,特別是涉及一種采用在鉬板上電鍍或噴涂銅層后的軋制工藝制備具有特殊層厚比例的銅/鉬/銅電子封裝復合材料的方法。該方法包括表面處理、電鍍或噴涂、退火、冷軋、后續處理五個步驟。本發明與現有技術相比具有生產工序簡化,生產周期縮短,生產效率高,成本低的優點;其成品具有高導熱、高強度,厚度比例特殊,尺寸適應性和一致性好、成品率高、沖壓性能良好,同時具有與半導體材料相匹配的熱膨脹系數和導熱率的優點。用該方法能夠生產出鉬層與銅層的厚度比大于1∶4∶1的銅/鉬/銅多層金屬復合材料。
聲明:
“具有特殊層厚比例的銅/鉬/銅電子封裝復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)