本發明公開了一種混合價態錫基氧化物半導體材料的制備方法及應用,將四價錫鹽和二價錫鹽按照預設摩爾比例溶于水中,加入沉淀劑進行沉淀;進行離心分離和去離子水清洗;將產物置于水熱反應裝置中,加入礦化劑,并加水分散經水熱反應得到錫基氧化物半導體材料納米晶。所得的錫基氧化物半導體材料可以作為太陽能電池、發光二極管、光電探測器和場效應管等光電器件中的載流子傳輸層或者緩沖層,由于混合價態錫基氧化物組分可調,從而具有載流子遷移率、能帶結構、透光率、導電性等半導體材料性能可調的優點,同時本發明制備方法工藝簡單,反應條件溫和,在光電器件領域對器件的靈活設計與性能優化有著明顯的促進作用,有很大的工業化應用前景。
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