本發明提供一種高體積分數碳化硅鋁基復合材料表面鋁膜層制備方法,即鋁基碳化硅復合材料表面離子鍍純鋁膜層的方法。將鋁基碳化硅復合材料構件置于真空爐內,與真空室殼體之間加上負偏壓,抽真空后通直流電并充氬,利用輝光離子對構件進行轟擊凈化活化處理,清除表面氧化膜和吸附物;接通高頻電源,熱解BN坩堝內的純鋁鍍料通過高頻感應加熱蒸發,鋁蒸發粒子在電場作用下,加速沉積在鋁基碳化硅構件表面,形成0.13~0.25mm厚的鋁膜層。采用這種方法,由于沉積粒子與鋁基同種元素之間的強鍵合作用,以及輝光離子轟擊對構件表面的凈化活化作用,從而在鋁基碳化硅復合材料表面形成結合牢固的鋁膜層,達到改善這類材料連接性能的目的。
聲明:
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