本發明涉及TaN/BiVO4異質結復合材料及其制備方法和應用。TaN/BiVO4異質結復合材料是采用浸漬的方法將氮化鉭負載在釩酸鉍上形成的異質結構的復合材料。本發明改善了單獨半導體在光激發電子后,其電子和空穴再結合速率快的缺點,制備了一種TaN/BiVO4異質結復合材料,間接地加快了電荷與空穴的分離效率,進一步地提高了光激發的電子利用率,提高了光電催化效率。本發明通過修飾半導體,實現高效光電分解水。
聲明:
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