本發明涉及一種聚噻吩復合材料,它包括磺化處理的絕緣聚合物膜和在磺化處理的聚合物膜的一個或兩個面上層疊的聚噻吩膜,該聚噻吩復合材料是由噻吩和/或噻吩衍生物在磺化處理的絕緣聚合物膜的一個或兩個面上聚合所得到的。聚合單體優選噻吩和3-甲基噻吩;絕緣聚合物膜優選聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚氨基雙馬來酰亞胺或聚苯乙烯。此外,本發明還提供一種高導電率的聚噻吩復合材料的制備方法,通過聚噻吩與基體的復合,使得該復合材料不僅具有優良的導電性同時還具有通用高分子的柔韌性。該復合材料的導電率可達10-3S/cm量級,其可以應用于電磁波屏蔽、防靜電和有機電子器件等領域。
聲明:
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