本發明屬于電子封裝材料的制備領域,公開一種碳化硅/Cu復合材料的制備方法。將酚醛樹脂粉溶解于無水乙醇中;將SiC粉加入所得溶液中,40~60℃攪拌均勻;將攪拌均勻的漿料烘干,造粒過篩,將所得顆粒粉壓制成型,得到SiC坯體;將SiC坯體置于二氧化鈦溶膠中浸漬處理;取出浸漬后的SiC坯體,干燥后煅燒,得到含TiC涂層的SiC坯體;用銅粉包埋SiC坯體,在真空或者惰性氣氛保護下1100~1300℃無壓熔滲銅0.5~2?h,隨后自然降溫冷卻,即得到碳化硅/銅復合材料。本發明具有工藝簡單、操作方便、產品性能良好等優點,使SiC/Cu復合材料擁有良好的導熱性能、低的熱膨脹系數并具有一定的機械強度。
聲明:
“碳化硅/Cu復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)