本發明公開了一種聚合物基介電復合材料的制備方法。以十六烷基三甲基溴化銨和過硫酸銨構成氧化模板,再與具有一維結構的羧基化多壁碳納米管形成雙模板,采用化學氧化法將促進吡咯單體在MWCNTs表面聚合,制備了具有特殊核?殼同心軸結構的新型雜化聚吡咯/多壁碳納米管導電復合材料。將其作為導電填料與聚偏氟乙烯聚合物基體復合,即可制得聚吡咯/碳納米管/聚偏氟乙烯三相介電復合材料。整個制備過程中合成工藝簡單,成本低,安全易得。本發明的PPy/MWCNTs/PVDF介電復合材料具有優良的介電性能和機械性能,在抗靜電、傳感器、微波吸收材料、電磁屏蔽材料、航空材料、電極材料、電磁屏蔽、金屬防腐、發光二極管、醫學上的藥物釋放等方面有著廣泛的應用。
聲明:
“聚合物基介電復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)