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            > 硅化金剛石/SiC復合材料的制備方法

            硅化金剛石/SiC復合材料的制備方法

            920   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:22:02
            一種硅化金剛石/SiC復合材料的制備方法,屬于電子封裝材料領域。首先將金剛石顆粒與硅粉進行濕混,充分研磨后進行燒結,使得金剛石表面與硅粉發生反應,生成一層碳化硅涂層,然后以表面鍍覆碳化硅的金剛石顆粒與硅粉混合,同時加入有機粘結劑,研磨并且在混料機上混料,得到了均勻的復合顆粒。這些復合顆粒經過預壓、脫脂,移入真空熔滲爐中,采用硅掩埋法進行真空熔滲,制備了致密的金剛石/SiC復合材料。本發明采用硅粉對金剛石微粒進行了改性,提高了金剛石與硅之間的界面結合性,得到的金剛石/SiC復合材料致密度在95%以上,硬度HRA80以上,抗彎強度超過200MPa,熱導率可達到600W/mK,熱膨脹系數1.5~4×10?6/K。本發明可一次制備多種復雜性狀,復雜曲率,大尺寸的產品,生產效率高、成本低。
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