本發明涉及聚羥基烷酸酯/蒙脫土插層型納米復合材料的共混制備。它是一種簡便而又高效的共混復合材料的制備方法。本發明所使用制備方法是三步熔融插層法。即先通過引發劑在熔融的條件下制備聚羥基烷酸酯的接枝聚合物,再通過熔融插層法制備出以接枝聚羥基烷酸酯為基體,經有機化改性的納米蒙脫土為填充成分的填充母料,最后再將此母料與聚羥基烷酸酯熔融共混制備出其復合材料。本發明制備方法簡單,所獲得的復合材料納米蒙脫土層間距在1NM-5NM之間,所制得的材料中納米蒙脫土分散均勻,材料力學性能好,具有較好的耐熱性能和成膜性等優點。
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“聚羥基烷酸酯/蒙脫土插層型納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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