聚偏氟乙烯基復合材料的制備方法,它涉及一種復合材料的制備方法。本發明是為了解決現有在低體積濃度(≤10%)陶瓷類填料下聚偏氟乙烯基復合材料介電常數不高的技術問題。本方法如下:一、晶化處理;二、施鍍;三、熔融共混;四、磁化處理。本發明選用負載Ni殼的鈦酸銅鈣為填料,以PVDF為基體,在低體積濃度(≤10%)填加量下采用熔融共混-熱壓成型工藝,結合磁化處理手段,制備得磁化的PVDF/CaCu3Ti4O12@Ni復合材料,其介電常數高達12000~18000,并且該材料能保持聚合物基體所具有的優良機械性能。本發明屬于復合材料的制備領域。
聲明:
“聚偏氟乙烯基復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)