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            > 凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法

            凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法

            984   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:17:02
            本發明涉及一種凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法。所述制備方法包括:(1)提供碳/碳基體;(2)對所述碳/碳基體進行超聲干燥潔凈處理,并將ZrC?ZrB2噴涂劑噴涂于所述碳/碳基體表面,得到多孔碳/碳復合材料;(3)以硅合金為反應物,采用反應熔滲法將所述多孔碳/碳復合材料制成凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料。該制備方法通過利用ZrC、ZrB2與硅的熱膨脹系數相差較大的特點,使得在材料表面殘留堆積的硅呈現疏松多孔結構,借助于簡單打磨,可獲得凈尺寸成型的C/SiC陶瓷基復合材料,從而減少后續機械加工,有效降低成本,解決了傳統反應熔滲法制備C/SiC陶瓷基復合材料表面殘留合金較多的問題。
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            “凈尺寸C/SiC陶瓷基復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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