本發明涉及一種復合材料表面SiC涂層的制備方法,屬于氧化防護技術領域。將硅粉包埋于碳化硅基復合材料表面,高溫真空熔滲,使復合材料包埋于熔體之中;然后將包覆熔體的復合材料置于過量碳源之中,再次高溫熱處理。清理表面殘渣后即可得到含有SiC涂層的復合材料。本發明采用反應熔滲法制備涂層,可實現制備涂層的同時進一步提高基材的致密度;通過碳源去除多余熔體,可形成均勻平整的SiC涂層。
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“碳化硅基復合材料表面SiC涂層的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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