硼氮納米線/半導體氧化物復合材料及其制備方法和應用,它涉及納米材料/氧化物復合材料及其制備方法和應用。本發明解決了現有的檢測氮氧化合物氣體的敏感材料在室溫下靈敏度低的問題。本發明的復合材料由硼氮納米線、過渡金屬鹽和沉淀劑制成;其中硼氮納米線由催化劑和含硼材料在氨氣氛中制成;方法:催化劑和含硼材料研磨后在氨氣氛中高溫合成硼氮納米線,再提純、分散于金屬硝酸鹽溶液中,再經沉淀劑改性、干燥、燒結得到硼氮納米線/半導體氧化物復合材料。本發明的復合材料是作為敏感材料應用于氮氧化合物氣體的檢測,該材料室溫下可檢測的氮氧化合物氣體的摩爾濃度低至48.5ppb,靈敏度≥10%,靈敏度高,穩定性好。
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