本發明涉及一種SiC納米線改性陶瓷基復合材料界面制備陶瓷基復合材料的方法,將多孔纖維預制體浸漬在催化劑溶液中,然后在CVD爐中,以三氯甲基硅烷MTS為硅源;氬氣Ar作為稀釋氣體,稀釋比為30~90;氫氣作為載氣,進行原位沉積SiC納米線;再以三氯甲基硅烷MTS為硅源;氬氣Ar作為稀釋氣體,稀釋比為9~11,采用CVI工藝制備SiC基體,得到致密SiC納米線改性的陶瓷基復合材料。本發明利用SiC納米線的增強增韌機制,提高材料的力學性能。與相同工藝下的PyC界面的復合材料相比,SiC納米線做界面的復合材料的彎曲強度提高了26.7%(圖6),還可以提高界面的抗氧化性。
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