本發明提供了一種層狀MoS2-SnO2納米復合材料的制備方法,將二硫化鉬粉末加入分層溶液中進行分層反應,形成混合液;在混合溶液中加入氧化劑進行氧化插層反應,然后攪拌下加入SnO2納米粉末,繼續攪拌均勻后得到插層MoS2-SnO2混合粉末;將插層MoS2-SnO2混合粉末與爆炸劑混合,進行爆炸反應,冷卻至室溫后取出爆炸反應產物,即得到層狀MoS2-SnO2納米復合材料。本發明利用芳香族硫醚的親硫特性,降低二硫化鉬原料粉末的層間范德華力,結合爆炸沖擊對其進行插層剝離。本發明制備的產物為具有高載流子遷移率的層狀二硫化鉬與SnO2納米顆粒復合的納米材料,且SnO2納米顆粒均勻附著在單層二硫化鉬片層上,提升了其催化加氫和潤滑性能,大大擴展了二硫化鉬的應用范圍。
聲明:
“層狀MoS2-SnO2納米復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)