本發明公開了一種含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復合材料的制備方法,采用磁控濺射的方法對SiC纖維編織件進行沉積Ti3SiC2,獲得含Ti3SiC2界面層的SiC纖維編織件,然后通過樹脂浸漬碳化獲得SiCf/C多孔體,再通過氣相滲硅獲得SiCf/SiC復合材料;所述磁控濺射為先采用TiC靶進行磁控濺射,在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1~0.2μm的TiC過鍍層,然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti3SiC2,所述Ti3SiC2的厚度控制為0.6~1.0μm;本發明首創的采用磁控濺射的方法獲得了含Ti3SiC2界面層的SiCf/SiC復合材料,有效降低了沉積溫度,避免了纖維的損傷,所得界面層在抗氧化性能方面優于現有技術常用的C、BN等界面層。同時本發明采用非接觸式氣相滲硅法進行陶瓷化,有效的降低了密度梯度,且可保證100%的合格率。
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