本發明公開了一種含共沉積復相界面的SiCf/SiC復合材料制備方法,包括以下步驟:采用CVI工藝對SiC纖維預制體進行界面沉積,以丙烯為碳源氣體、以三氯甲基硅烷為碳化硅源氣體進行共沉積;載氣為氫氣,稀釋氣體為氬氣和氫氣;利用CVI工藝對完成界面沉積的SiC纖維預制體進行SiC基體沉積,碳化硅源氣體為三氯甲基硅烷,載氣為氫氣,稀釋氣體為氬氣和氫氣。制備獲得的SiCf/SiC復合材料,在纖維與基體之間為PyC?SiC復相界面,PyC?SiC復相界面是共沉積形成的、由SiC納米晶和熱解炭相PyC組成的復相界面。本發明提供的制備方法,主要包括利用CVI共沉積制備PyC?SiC復相界面以及SiC基體的致密化兩個主要步驟,界面制備更容易控制且制備效率也更高;所制備的SiCf/SiC復合材料的強韌性得到進一步提高。
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