本發明屬于熱電材料技術領域,具體涉及一種Cu?Te納米晶/Cu2SnSe3熱電復合材料及其制備方法,該復合材料中Cu?Te納米晶在復合材料中的體積比為0.2?1.2%。本發明制備的Cu?Te納米晶/Cu2SnSe3型熱電復合材料表現出較好的熱電性能,大幅提升了Cu2SnSe3基體的ZT值;制備所需工藝操作簡單、參數可控、適用于較大規模生產。
聲明:
“Cu?Te納米晶/Cu2SnSe3熱電復合材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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