本發明屬于不揮發存儲器技術領域,具體為一種采用電場增強層的阻變存儲器及其制造方法。本發明阻變存儲器包括頂電極、底電極以及位于所述頂電極與所述底電極之間的一層阻變功能介質層和一層電場增強層;所述的電場增強層和電阻轉變存儲層相鄰,并且,電場增強層的介電常數低于阻變功能介質層的介電常數。本發明選用不同介電常數的阻變功能材料組成疊層結構來調節阻變存儲結構單元中的電場分布,進而通過控制該電場分布來實現阻變存儲器在阻變過程中所形成的導電通道結構和數量上的控制。本發明提出的阻變存儲器性能穩定可控。
聲明:
“采用電場增強層的阻變存儲器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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