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            > 垂直少層MoS2納米片的無模板法制備

            垂直少層MoS2納米片的無模板法制備

            892   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 15:05:02
            本發明提供一種垂直生長的少層MoS2納米片的無模板制備方法,其特征為以非晶晶化和離心分離法制備出分散性、尺寸和層數可控的垂直少層MoS2納米片。其具體制備方法是:在室溫下將適量給定濃度的酸溶液以一定的滴加速率滴加至適量含硫化合物與鉬鹽的混合溶液中,得到黑色沉淀。在惰性氣氛中將得到的沉淀進行煅燒,并超聲分散于合適溶劑中后進行離心分級。通過調控滴加速率、反應時間和不同轉數的離心分級處理可獲得不同分散程度的少層垂直MoS2納米片和類花狀MoS2垂直納米片團簇。本發明具有操作簡便、重復性好的優點,通過調控反應和處理條件可制備出尺寸、層數以及分散性各異的垂直少層MoS2納米片,對相關光電功能材料及催化材料的研究和應用具有重要意義。
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