本發明公開了一種基于埋層的垂直結構存儲器的制備方法。該方法采用填埋下電極和存儲功能材料層,不僅可以實現良好的電熱絕緣,而且避開了以往制備此類垂直結構器件對化學機械拋光(CMP)的依賴。該方法在電子束曝光、聚焦粒子束刻蝕等高精度線性光刻手段,及高精度的薄膜淀積與刻蝕工藝輔助下,解決了以往研發此類垂直結構由CMP技術的研發瓶頸所導致的研發周期長、難度大、成本高、適用性差的缺點,并在制備精度、制備效率、經濟性以及與現有的CMOS工藝兼容性等方面具有很大的優越性。
聲明:
“基于埋層的垂直結構存儲器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)