本發明公開了一種低觸發、低容值片式靜電抑制器的制備方法,包括以下操作步驟:采取納米材料制備技術、半導體材料、高分子材料和PCB板技術相結合,在電極切槽部位印刷具有疏松骨架結構以及半導體特性的功能材料層,切槽部位電極存在尖端和功能漿料為疏松的骨架結構形成的縫隙,實現低電壓特性,通過激光精度切割制備的電極縫隙。本發明所述的一種低觸發、低容值片式靜電抑制器的制備方法,通過激光精度切割制備的電極縫隙,相對于厚膜印刷工藝制備的電極,縫隙寬度一致性好,采用雙縫隙電極設計,實現低容值,解決了超小容值的問題,采用3層壓合板設計,實現了內部結構較高的致密度,具有較高的防滲透和耐濕氣的性能。
聲明:
“低觸發、低容值片式靜電抑制器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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