一種Sn催化的Ga摻雜ZnO納米線的制備方法,屬于光電子信息功能材料領域,涉及一種摻雜ZnO納米材料的制備技術。本發明采用化學氣相沉積的方法,通過Sn的催化,在鍍有金膜的硅片上獲得大量Ga摻雜ZnO納米線,納米線的直徑約25~90nm,長度為10~20μm。Ga的摻雜含量為0.5~15at.%,Sn的含量為0.5~6at.%。本發明通過控制Sn的含量,在有效改善ZnO形貌的同時,又保證了Ga摻雜ZnO納米線的發光性能,擴大了ZnO原有領域的應用范圍;由于采用的氣流量比較小,生長時間相對比較短,其操作簡單,成本低,效率高,并且對環境無污染。
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