本發明公開了一種提高InAs/GaAs量子點半導體材料發光效率的方法,其特征在于本發明提出的離子注入方法區別于傳統的離子注入技術中注入離子最終停留區域的選擇。傳統的離子注入技術應用中為了盡可能地減小因離子注入導致的缺陷增殖數量,通常將注入離子的最終停留區域選擇在襯底上,避免體現發光功能材料區域的缺陷增殖數量的急劇上升。本發明提出了直接將注入離子停留在量子點區域,同時選擇了有效的質子注入和注入工藝條件,結合相應的快速熱退火工藝,使得最終離子注入技術得以成功地提高量子點材料的發光效率。
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