本發明公開了二種采用模板法制備高比表面碳化硅納米管的方法,技術方案一,步驟如下:a.選用多孔氧化鋁作為模板浸入到氫甲基硅油和乙烯基聚硅氧烷的混合溶液中;b.將上述氧化鋁模板在馬弗爐中50~600℃溫度下放置1~10小時;c.用酸去除氧化鋁模板得到聚硅氧烷納米管的前驅體;d.將上述前驅體置于高溫管式爐中在惰性氣體保護下以2~10℃/min的速度升溫到1000~1700℃,然后恒溫0.5~10小時得到碳化硅納米管。技術方案二將技術方案一的步驟c、步驟d互換。本發明制備的碳化硅納米管比表面積為3500-4500m2/g,可作為半導體材料、功能材料、光電器件具有廣闊的應用前景。
聲明:
“制備高比表面碳化硅納米管的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)