一種鋁摻雜氧化鋅納米線的制備方法,屬于光電信息功能材料領域。本方法以ZN粉和AL粉為蒸發源,相鄰放置在三氧化二鋁舟中,清洗后的硅片放置在蒸發源的正上方,距離源的垂直距離為1~2MM,然后將舟放入水平管式爐中;將管式爐升溫至800℃~850℃,保溫45~60MIN,在整個生長過程中,爐腔內始終充入40~50ML/MIN的氬氣,生長結束后管式爐自然冷卻到室溫,取出硅片,在硅片表面沉積有AL摻雜ZNO納米線。本方法無需真空設備,只需在常壓條件下就可以合成出直徑為40~370NM,長達30~150ΜM的AL摻雜ZNO納米線,而且合成溫度低,從而大大降低了生產成本。
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