本發明公開了屬于無機功能材料制備技術領域的一種控制表面缺陷及表面電位的層狀復合金屬氫氧化物制備方法。本發明是在層狀復合金屬氫氧化物晶化反應結束后,采用不同的降溫方法對晶體的表面缺陷及表面電性同時進行控制,操作簡單易于實現。降溫速率越快得到的層狀復合金屬氫氧化物晶體表面缺陷越多,電荷在晶體表面分布越不均勻,Zeta(ζ)電位越低,進而對產品的催化、紫外阻隔、阻燃作用產生影響。
聲明:
“控制表面缺陷及表面電位的層狀復合金屬氫氧化物制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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