本發明公開了一種憶阻器及其制備方法,所述憶阻器包括自下而上依次設置的基底、底電極層、功能材料層、頂電極層以及頂電極保護層,其特征在于,所述功能材料層和頂電極層之間設置有阻擋層,所述阻擋層由Nb2C覆蓋在MAPbI3層上表面制備而成。本發明引入阻擋層制備形成的憶阻器,且配置有頂電極保護層,具有穩定性好、導電性佳的特點,具有廣闊的應用前景,同時本發明的制備方法簡便高效,成本較低,適合在產業上廣泛應用。
聲明:
“憶阻器及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)