一種基于腐蝕的水平全限制相變存儲器的自對準制備方法,該方法包括:在襯底上生長第一電熱絕緣材料層,旋涂并光刻形成縱向第一掩膜層;在第一電熱絕緣層上淀積第一功能材料層,并形成第一功能材料層縫隙;之其上制備一層相變材料層;退火、腐蝕,將相變材料層去除,形成相變材料層納米線;光刻,形成水平對置電極層局域化的相變材料量子點;去除第二掩模層,淀積第二電熱絕緣層;去除第三掩模層;淀積第三電熱絕緣材料層;光刻出第四掩模層,腐蝕,薄膜淀積第二功能材料層,并剝離形成測試電極,完成器件制備。本發明具有工藝精度要求低、制備簡單、可靠性高、制備良品率高、研發成本低和經濟高效的優點。
聲明:
“基于腐蝕的水平全限制相變存儲器的自對準制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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