本發明公開了一種含鈣鈦礦量子點的非晶氧化物浮柵晶體管的制備方法。屬于半導體行業存儲器技術和光探測技術領域,所述銦鎵鋅氧薄膜晶體管存儲器或者光電探測器的結構從上到下依次為源漏電極、溝道層、隧穿絕緣介質層、浮柵層、柵絕緣層、柵電極和襯底。其中溝道層采用的是非晶氧化物,浮柵層采用的是鈣鈦礦量子點薄膜。本發明可以有效提高器件對于入射光的收集效率,增強光電轉換效率,實現大的電流密度和出色的存儲特性,在光敏存儲器和智能光電感知器等方面有重要的潛在應用前景。
聲明:
“含鈣鈦礦量子點的非晶氧化物浮柵晶體管的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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