本發明公開了鈣鈦礦埋底界面材料、制備方法及應用,所述鈣鈦礦埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有納米級的量子點結構;MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs,Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面,Sn、O、Ti和C元素的含量分別為20?25%、70?75%、1?2%和0?1%。本發明有效地提高了器件的導電性、穩定性以及各項性能,顯著降低了鈣鈦礦層的缺陷與空位。為鈣鈦礦器件的發展提供了新思路,在未來的通信、航天、農業等領域的探測等方面有著廣泛的應用前景。
聲明:
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