本發明公開了一種芳香胺構筑的二維雙層DJ型鈣鈦礦材料及制備方法和應用,屬于光電探測技術領域。針對目前三維鈣鈦礦在高工作電壓和強輻照狀態下運行時由于內部強烈的離子遷移,性能衰減的非??斓膯栴}。本發明在三維結構中引入有機大陽離子形成低維層狀鈣鈦礦材料可以有效的抑制鈣鈦礦內部的離子遷移,同時合適的無機層數也能保證良好的半導體性能。在二維鈣鈦礦體系中,DJ型鈣鈦礦的穩定性和載流子傳輸性能都要優于RP型,提供了一種高質量的、大體積的多層DJ雜化鈣鈦礦材料及其商業化應用。
聲明:
“芳香胺構筑的二維雙層DJ型鈣鈦礦及制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)