本發明屬于半導體輻射探測領域,公開了一種提高基于銫鉛溴CsPbBr3的輻射探測器性能的方法,該方法是通過對輻射探測器的吸光層銫鉛溴CsPbBr3鈣鈦礦材料進行含氧氣氛圍的退火處理,在避免使CsPbBr3體相中的溴元素被氧化以致失去鈣鈦礦結構的前提下,僅在吸光層CsPbBr3的表面形成寬帶隙的鉛的氧化物以鈍化缺陷,降低暗電流,從而提高輻射探測器CsPbBr3的輻射探測性能。本發明通過對輻射探測器的吸光層CsPbBr3進行氧氣氛圍的退火處理,能夠有效解決現有的吸光層缺陷多,暗電流大等問題,同時兼顧靈敏度、穩定性等指標。
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