本發明屬于納米材料與器件領域,公開了一種高性能混合型光電探測器的構筑方法及其調控策略,并具體公開了一種基于全無機鉛鹵鈣鈦礦納米晶的高性能混合型光電探測器,包括單層MoS2層以及CsPbX3(X=Cl,Br,I)鈣鈦礦納米晶層,單層MoS2層為2D材料,CsPbX3納米晶層為0D材料,兩者通過構筑范德華異質結進行復合。本發明通過對用于配合單層MoS2形成異質結的關鍵材料及其自身的特征因素所采用的不同工藝步驟進行探索與改進,實現了性能可調控/優化的混合型光電探測器。從本質上講,這是由于鈣鈦礦納米晶層的光俘獲能力和光生載流子在0D鈣鈦礦納米晶/2D單層MoS2異質結界面處的激子分離與電荷轉移得到了有效的調控,從而直接對混合型光電探測器的光響應性能產生影響。
聲明:
“高性能混合型光電探測器的構筑方法及其調控策略” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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