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            MEMS器件的封裝方法

            1153   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
            2023-03-18 14:51:19
            本發明公開了一種MEMS器件的封裝方法,包括S1在框架基板與封蓋的內表面上對稱附著圖形化的過渡金屬化層和釬料層;S2在框架基板的釬料層上附著圖形化的自蔓延多層膜;S3將芯片鍵合固定在框架基板上并實現信號互連;S4將固定有芯片的框架基板與封蓋進行除氣除濕處理后對準堆疊形成封裝結構;S5對封裝結構施加壓力、預熱后引燃自蔓延多層膜,自蔓延多層膜燃燒并熔化釬料層實現冶金互連。本發明將封蓋直接與框架基板鍵合,簡化了生產工藝和結構,降低成本;在焊接過程中,自蔓延燃燒反應不會對封裝內部真空度造成影響;反應升降溫速度快,熱影響區小,在釬料層熔化完成鍵合的同時,芯片及封蓋不會受到熱影響,提高了器件的可靠性,延長了工作壽命。
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            “MEMS器件的封裝方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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