本發明公開了一種制造太陽能電池的磷擴散方法,其特征在于,包括如下步驟:(1)將待處理的單晶硅片在900~950℃氮氣氣氛下進行退火處理20~30分鐘;(2)將上述處理后的硅片在850~1050℃氯化氫氣氛下進行氧化處理,使其表面生成厚度為10至30納米的氧化層;(3)再在850~900℃下通源磷擴散,使得表面方塊電阻控制在40~50歐姆,結深0.2~1.0微米;(4)最后在700~750℃氮氣氣氛下退火處理30~60分鐘,完成單晶硅片的磷擴散處理。本發明可以采用純度為4、5N的單晶硅作為制造太陽能電池的材料,因而,可以利用冶金硅等純度較低的材料,極大地降低了材料成本,有利于單晶硅太陽能電池的普及應用。
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