本發明涉及一種硅固溶強化VNbMoTaSi高熵合金及其制備方法,屬于金屬材料及其制備領域。該種合金成分的原子百分比表達式為VaNbbMocTadSie,其中20≤a≤35,20≤b≤35,20≤c≤35,20≤d≤35,0.01≤e≤3。所需原料為純金屬,Si以硅單質形式加入。將原料去除氧化皮后,放入真空電弧爐進行熔煉,熔煉4~6次后,可獲得單相BCC機構的固溶體合金。本發明將Si固溶到VNbMoTa晶格中,顯著地提高了高熵合金的室溫和高溫強度。尤其是(VNbMoTa)97.5Si2.5在1200℃下仍具有超過1Ga的屈服強度,優于目前報道的其他體系的難熔高熵合金。
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