本發明公開了一種錳酸鑭系負溫度系數半導體陶瓷及其制備方法,其組分和含量為LaMnO3基礎上添加10-70mol%TiO2,同時添加0-60mol%的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。制備步驟包括(1)配料,(2)造粒,(3)成型,(4)燒成,(5)電極制備。本發明克服了NTCR陶瓷材料室溫電阻較大的缺點,提供了一種具有良好的導電性能和高溫穩定性、實現了室溫電阻率為182Ω.cm,而溫度系數B值為3268K的錳酸鑭為基的鈣鈦礦型NTCR半導體陶瓷。本發明在溫度測量、抑制浪涌電流和溫度補償方面得到廣泛應用。
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