江蘇蘇州有色金屬分析檢測技術理論與應用

熱障涂層的裂紋擴展失效的檢測方法及系統 1038     

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本發明公開了一種熱障涂層的裂紋擴展失效的檢測方法，包括：獲取熱障涂層體系數據，根據熱障涂層體系數據對熱障涂層在部件水平上進行計算機建模；獲取部件熱機械載荷，計算得到當前氧化層的厚度；獲取陶瓷層的材料參數以及氧化層與頂部陶瓷層界面的幾何構型；根據獲取的陶瓷層的材料參數以及氧化層與頂部陶瓷層界面的幾何構型得到裂紋分布概率密度；根據裂紋分布概率密度計算得到典型主裂紋尺寸，如果典型主裂紋尺寸小于裂紋失效尺寸閾值，則裂紋擴展未失效，否則，失效。以統計分析方法獲取熱障涂層在隨機使用過程中微觀結構損傷特征的概率分布，涵蓋了TBC失效的多種因素，能準確實時對當前TBC損傷狀況進行判斷，并達到工程可用的精度。

光伏組件PID失效現場測試方法及用于該方法的檢測設備 942     

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本發明提供了一種光伏組件PID失效現場測試方法及用于該方法的檢測設備，其中所涉及現場測試方法包括獲取待測光伏組件邊緣電池串的第一填充因子與光伏組件中間電池串的第二填充因子，并將所述第一填充因子與所述第二填充因子進行比較，若所述第一填充因子相對所述第二填充因子的減小幅度超過既定閾值，則判斷該光伏組件出現PID失效；采用本發明所提供的光伏組件PID失效現場測試方法，通過對同一光伏組件邊緣電池串與中間電池串的填充因子進行對比，并基于其差值幅度即可快速判定該光伏組件是否PID失效，本發明所提供的現場測試方法操作簡潔，無需進行EL檢測，適用于項目現場的光伏組件的快速檢測。

機械系統的功能失效表征檢測方法 1034     

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本發明公開一種機械系統的功能失效表征檢測方法，針對金屬材質的機械系統，以阻值作為機械系統中零部件的顯著失效判據，預先定義組成結構參數、廣義載荷參數和零部件的強度性能參數，分析機械零件的主要失效模式，并根據主要失效模式確定對應的失效物理模型，并建立機械零件的不確定性輸入及對應的分布類型，并通過重復試驗，采取隨機取樣的方式模擬不同類型的機械失效模型，并根據不同的機械失效模型獲取不同的失效場景參數并歸總，根據各主要失效模式對應的隨機響應及隨機分布，建立樹形圖并獲得其邊緣概率密度，從而獲得機械系統的失效概率特征，本發明的優點在于可以同時實現對機械系統失效的事先預測和快速檢測。

鎢極焊接失效預判檢測裝置及其檢測方法 775     

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本申請公開了一種鎢極焊接失效預判檢測裝置，其包括：工作臺、電動底座、影像儀裝置、操作機及控制裝置，所述電動底座、操作機及控制裝置安裝在工作臺的同一面，所述影像儀裝置連接于電動底座的上方，所述電動底座能夠驅動影像儀裝置旋轉運動，所述操作機能夠夾持旋轉焊槍，所述控制裝置能夠控制操作機和電動底座，所述影像儀裝置用于拍照焊槍的鎢極端部，從而實現自動反饋鎢極端部是否失效。

伺服驅動器電流檢測回路的失效檢測方法 752     

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本發明公開了一種伺服驅動器電流檢測回路的失效檢測方法，包括：描述伺服電機驅動系統在dq旋轉參考系的電壓方程；基于電壓方程和伺服驅動器的數字控制機制，根據電機的模型參數和上一拍的電壓信號和電流信號預測當前采樣時刻旋轉坐標系下的電流信號；通過硬件對電流信號進行采集及信號調理后，將信號傳送至MCU解析得到三相電流的瞬時值，將三相電流通過矢量角度變換后得到旋轉坐標系下的電流瞬時值；根據電機預估的電流和實際采集到的電流的誤差進行判定，當誤差超過判定閾值時，電流檢測回路的故障標志位置位；在故障置位后，封鎖PWM波，顯示相應的電流檢測回路故障。由軟件實現，簡單可靠，不受到硬件方案的影響，保證系統安全穩定。

汽車CAN通訊失效檢測系統及其檢測方法 719     

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本發明公開了一種汽車CAN通訊失效檢測系統及其檢測方法，其通過CAN通訊數據分類計數，計量每組CAN通訊數據的無法正常接收的次數（即無法正常接收的周期數），當超過限定的次數后即認定為CAN通訊數據存在失效情況，然后故障識別單元即可根據類別或者分析對應CAN通訊數據的ID從而判斷發生故障的汽車電子部件，進而在對其進行處理（比如超級電容由于CAN中斷后無法取得真實數據，那就做出相應的處理，比如必須關閉發電機，防止由于數據不準確而使發電機盲目的充電，造成電容爆炸的事故）。如此，提高汽車的整體安全性，而且在汽車CAN通訊出現失效故障時可直觀地將發生故障的元件位置反應給用戶，簡潔易行。

用于失效分析的金屬軟管 921     

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本發明公開了一種用于失效分析的金屬軟管，包括軟管本體及連接所述軟管本體的連接部，所述連接部包括連接所述軟管本體一端的法蘭連接件及連接所述軟管本體另一端的卡扣連接件，所述卡扣連接件包括設于所述軟管本體一端的卡孔結構以及與所述卡孔結構配合使用的卡扣結構，所述卡扣結構包括靠近所述軟管本體一端的第一端部、遠離所述軟管本體一端的第二端部以及連接所述第二端部及所述第一端部的中間部，所述中間部的截面直徑小于所述第一端部的截面直徑，所述卡扣結構通過插置于所述卡孔結構中以實現所述卡扣結構與所述軟管本體之間的快速連接。本發明中通過設置卡扣連接件使得金屬軟管能夠與卡扣結構快速連接，從而提高了方便性。

半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法 987     

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本發明提供了一種半導體結構的覆蓋層剝除方法及半導體結構失效分析方法，涉及半導體結構失效分析技術領域，半導體結構的覆蓋層剝除方法包括如下步驟：提供承載基板，將多個半導體結構固定連接在所述承載基板的上表面，且半導體結構的覆蓋層位于主體的上方；對承載基板上的半導體結構的襯底進行離子注入，然后對離子注入后的襯底進行加熱；去除破裂殘渣；對剩余在主體上的襯底進行研磨，以去除襯底。本方案可以同時對多個半導體結構進行集中處理，離子注入與加熱操作配合，使襯底開裂，達到去除襯底的絕大部分的效果，減少了對半導體結構的機械研磨時間，能夠提高獲取的主體的良品率。

基于Excel的失效模式影響診斷分析工具及方法 918     

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本發明屬于功能安全技術領域，具體涉及一種基于Excel的失效模式影響診斷分析工具及方法，包括建于Excel中的運行工況模塊、數據庫模塊、物料清單模塊、安全機制模塊、FMEDA永久性故障模塊、FMEDA瞬態故障模塊和報告模塊；本發明通過在Excel中建立失效模式影響診斷分析工具，取締了基于功能安全而全面開發的軟件，穩定性高且對運行環境要求低。

閃存芯片失效分析夾具 818     

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本實用新型公開了一種閃存芯片失效分析夾具，包括：功能模塊、功能模塊底座、功能模塊按壓上蓋和閃存芯片按壓上蓋，所述功能模塊設置在功能模塊底座上，所述功能模塊按壓上蓋設置在功能模塊上方，所述閃存芯片按壓上蓋設置在功能模塊按壓上蓋上方，所述功能模塊包括芯片底座固定上蓋、芯片底座、彈簧針導向襯板和功能模塊組合上蓋，所述芯片底座設置在功能模塊組合上蓋上，所述彈簧針導向襯板設置在芯片底座下方，所述彈簧針導向襯板上設置有延伸至芯片底座內的彈簧針，彈簧針與閃存芯片引腳一一對應。通過上述方式，本實用新型所述的閃存芯片失效分析夾具，免去芯片的植球返工環節，提高了芯片失效分析的效率，安裝快捷。

用于芯片失效分析中定位的背面觀察基座及使用方法 813     

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本發明提供了一種用于芯片失效分析中精確定位的背面觀察基座，其包括金屬支架，所述金屬支架的中心設有中心孔，在該中心孔中安裝有玻璃片，在所述玻璃片上還設置有用于提供基準坐標的兩個特殊標記，所述兩個特殊標記為蝕刻于或粘貼于所述玻璃片上的，其位置為所述背面觀察基座的玻璃片上的任何位置且可被設置為相同或者不同的形狀。由此，在失效分析分析中，在PEM/OBIRCH采用背面模式定位異常點時能夠在正面位置準確找到并記錄異常點位置。本發明還涉及采用該背面觀察基座在芯片失效分析中進行精確定位的方法。

倒裝芯片中失效結構的位置標記方法以及分析方法 990     

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本申請公開了一種倒裝芯片中失效結構的位置標記方法以及分析方法，位置標記方法包括：獲取底部填充層中的失效結構在互連結構的陣列中的位置信息，位置信息以陣列的行列數表述；去除至少部分基板以形成暴露于外部的標記面，其中每個互連結構背離芯片的一端皆位于標記面上；在標記面上對位置信息所指示的位置做上標記。本申請提供的倒裝芯片中失效結構的位置標記方法以及分析方法，通過去除至少部分基板以形成將陣列中每個互連結構上背離芯片的一端皆暴露于外部的標記面，然后根據失效結構的位置信息在標記面上進行標記，實現了在倒裝芯片上對失效結構進行精準標記的目的，進而降低了獲取失效結構的橫向截面的操作難度。

基于設備失效數據分析的產品可靠性提升方法和系統 869     

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本發明公開了一種基于設備失效數據分析的產品可靠性提升方法，包括以下步驟：S1、采集核電設備的基礎信息和故障信息；S2、根據基礎信息和故障信息，進行故障模式分析，確定每個類型核電設備的故障模式和對應的失效部件；S3、根據基礎信息和故障信息，進行設備可靠性計算和部件可靠性計算；S4、根據故障模式分析結果和來自經驗反饋系統的數據，進行共性問題分析，生成產品可靠性提升報告。本發明以實際失效數據作為依托，可以更系統性分析出產品存在的問題與改進方向，比現有的依托經驗反饋進行改進的方式，更加精確，可以作為設備制造商產品質量改進的基礎，同時也可為設備選型及電廠成本預算提供依據。

用于TEM樣品失效性分析的放置裝置 708     

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本實用新型公開了一種用于TEM樣品失效性分析的放置裝置，包括樣品桿、與樣品桿固定連接的樣品杯和用于放置待測樣品的金屬網，金屬網包括環形框和固定在環形框中間的金屬網格，樣品杯包括與樣品桿固定連接的杯下部、鉸接在杯下部上的杯上部，杯上部的一端通過鉸接件鉸接在杯下部的一端，杯上部的中部具有圓形的上開口，上開口的上端具有環形的卡置部，卡置部的底面上具有環形的插接部，杯下部的中部具有下開口，下開口的下端具有環形的支撐部，杯下部的上端面上具有與樣品桿的水平軸線平行的水平標記線；環形框上具有與杯上部的插接部相配合的環形凹槽。本實用新型具有在費用低且使用效率高的情況下就可以獲得TEM樣品水平圖像的優點。

基于深度度量學習的EDA電路失效分析方法 712     

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本發明公開了一種基于深度度量學習的EDA電路失效分析方法，包括步驟：一、根據原始分布對EDA電路樣本進行蒙特卡羅采樣，生成蒙特卡羅采樣樣本，并進行蒙特卡羅仿真，得到失效仿真結果；二、通過步驟一的蒙特卡羅采樣樣本和失效仿真結果，訓練一個能夠將失效樣本區分出來的深度度量學習模型；三、對待進行失效分析的EDA電路，采用蒙特卡羅采樣方法生成足夠多的失效分析樣本，并利用步驟二中訓練的深度度量學習模型對樣本進行篩選，篩選出可能失效樣本；四、對可能失效樣本進行SPICE電路仿真，得到失效的EDA電路并計算出失效率。本發明仿真效率高，可靠性高，在先進工藝大規模電路的仿真分析中具有明顯的優勢。

基于失效評定圖的未爆先漏分析方法 776     

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發明涉及一種基于失效評定圖（FAD）的未爆先漏（LBB）分析方法，包括以下步驟：（a）服役狀態分析；（b）初始裂紋選擇；（c）載荷分析；（d）線彈性應力強度因子（SIF）計算；（e）極限載荷分析；（f）評定點坐標計算；（g）FAD選擇；（h）評定點繪制；（i）彈塑性SIF計算；（j）J積分計算；（k）不同裂紋的J積分計算與擬合；（l）結構失效臨界裂紋尺寸計算；（m）結構臨界泄漏裂紋尺寸計算；（n）LBB準則評估，本發明基于FAD理論，克服了現有規范中彈塑性分析理論基礎不足、現有J積分計算手冊適用范圍有限、有限元建模分析過程復雜，及計算結構失效臨界裂紋尺寸和結構臨界泄漏裂紋尺寸過程復雜等缺點，提供了一種基于FAD的LBB分析依據。

芯片結構的散熱層缺陷失效分析方法 1193     

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本申請公開了一種芯片結構的散熱層缺陷失效分析方法，基于芯片結構的聲學圖像和三維圖像確定散熱層的第一厚度及其第一缺陷類型和尺寸；基于芯片結構研磨樣品的掃描圖像確定散熱層的第二厚度及其第二缺陷類型和尺寸；對比所述第一厚度及其第一缺陷類型和尺寸和所述第二厚度及其第二缺陷類型和尺寸，確定分析結果?？梢栽诓黄茐男酒Y構的情況下測算散熱層參數及定性失效模式，同時為后續破壞性分析提供數據對比，使得缺陷失效分析的準確性較高。

半導體芯片的失效分析方法 1047     

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本發明公開了一種半導體芯片的失效分析方法，包括：切割半導體芯片制備具有橫截面的樣品；對樣品的衡截面進行研磨拋光、水洗并干燥樣品；配置化學染色液；將拋光好的樣品放入所述化學染色液中進行染色處理；對染色處理后的樣品進行清洗并干燥樣品；將樣品放置在掃描電鏡中進行檢查并進行顯微攝影，進行失效分析。本發明在對樣品進行研磨拋光之后，還采用化學染色液對樣品表面進行化學處理，最后才使用掃描電子顯微鏡對摻雜物分布和結面輪廓進行二維描述，并且能夠以較高的空間分辨率精確描繪摻雜剖面，從而可以對樣品的失效節點進行詳細而準確的分析。

半導體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法 804     

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本發明提供了一種半導體晶圓制造晶體管柵極硅氧化層失效的綜合分析方法，所述綜合分析方法包括：（Ⅰ）采用電測量分析方法對存在柵極硅氧化層失效的樣品進行失效定位；（Ⅱ）采用化學分析方法對樣品進行失效機理模型判斷，判斷確定柵極硅氧化層的失效原因是雜質污染，還是等離子體誘導損傷；（Ⅲ）如果失效機理模型是雜質污染，則采用飛行時間二次離子質譜對有柵極硅氧化層失效的樣品進行污染元素定性探查；隨后通過動態二次離子質譜對探查到的的污染元素進行精準定量測量。本發明采用更多的分析技術、儀器和方法聯合應用于失效分析，能夠快速準確地確定晶體管柵極硅氧化層的失效機理和模型，以便失效分析工程師提供更精準的分析報告。

三維存儲器失效分析樣品制備方法 775     

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本發明涉及集成電路的失效分析技術領域，且公開了一種三維存儲器失效分析樣品制備方法，包括以下步驟：步驟一、對封裝進行電測試，根據電測試結果確認失效位置，并記錄下失效的log，使用封裝開封技術去除待分析芯片上方的塑封料(EMC)及芯片。本發明利用實時圖像采集及拼接技術，將真實芯片與設計圖紙進行比對，并進行位置修正，確定失效精確位置后，縮小目標區域，通過階梯開口方式，精確掌握垂直層數，最終實現快速定位及分析，通過對實際芯片的位置修正和定位，能夠更準確及快速的實現失效位置確定，大大縮減了誤判的發生率，并且由于定位準確，失效目標區域可以盡可能縮小，提高了分析操作效率。

電腦主板失效分析方法 981     

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本發明提供了一種電腦主板失效分析方法，該方法包括以下步驟：A、對樣品進行外觀檢查，查看不良品表面是否有磨損、開裂等明顯異?，F象；B、對不良品進行失效點定位；C、使用良品對定位的失效點進行模擬驗證；D、將不良品制成失效點位置的金相切片，并使用聚焦離子束系統對金相切片表面進行微切割；E、使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進行分析，找出失效原因；F、模擬失效環境，對失效機理再次進行驗證；G、綜合分析，給出結論。本發明有如下優點：本發明分析方法步驟簡單，操作方便，有效提高失效分析的速度和準確度，經過初步分析、初步驗證、再次分析以及再次驗證，從而保證了失效理由的可信度，提高了失效分析結果的信服度。

壓力容器失效的分析方法 768     

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本發明公開了一種壓力容器失效的分析方法，包括以下步驟：S1、制定檢驗方案：確定壓力容器的相關工作參數，結合相關工作參數確定失效的具體內容和形成原因，制定因素分析表，并對應不同因素增加檢測方案；S2、方案分析：分析造成失效的不同因素間的相關性，對關鍵因素進行標記，分析造成因素的原因，記錄相關聯的工作參數及產生時間、產生頻率，同步的制定風險防御方案；S3、失效分析前檢查：結合壓力容器的基本信息以及設備運行的實際情況，初步分析壓力容器是否符合特定工作狀態下各項指標要求。本發明對壓力容器存在的潛在風險進行及時防控，實現高效排除不同環境下存在的隱患，有效提升壓力容器檢驗效果與質量，適用于工業相關產業。

車載直流降壓芯片失效分析方法 894     

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本發明公開了一種車載直流降壓芯片失效分析方法，包括以下步驟：步驟1)外觀檢查；步驟2)良品與不良品I/V測試對比分析；步驟3)無損探傷對比分析；步驟4)開封內部檢查；步驟5)EMMI對比分析；步驟6)匯總記錄，定位車載直流降壓芯片失效位置。本發明一種便捷、高效的分析方法，能夠快速定位芯片失效位置，并準確分析出失效應力來源。

半導體器件的失效分析方法及其設備 927     

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本發明揭示了一種半導體器件的失效分析方法及其設備，該方法包括以下步驟：S1：對半導體器件進行失效位置分析確認失效信息；S2：確認目標位置的觀測對象包括單個對象還是多個對象；S3：如確定觀測對象包括單個對象，則檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；S4：如確定觀測對象包括多個對象確認觀測單個對象，檢測單個對象的X和Y方向邊界尺寸和方向；選擇對應單個對象的電路布局圖，根據檢測到的邊界尺寸和方向，對單個對象的觀測畫面與其電路布局圖進行匹配，使單個對象在觀測畫面上各個組件與其電路布局圖上的位置一一對應。該方法可將觀測畫面的位置與實際電路布局圖上的位置匹配，快速找到觀測對象目標，提高了失效分析效率。

PCBA失效分析方法 1088     

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本發明公開的屬于PCBA失效分析方法技術領域，具體為一種PCBA失效分析方法，包括以下步驟：S1：對PCB板進行外觀光學檢查，判斷其是否有污染、開裂或燒焦現象；S2：對步驟S1中判斷有污染的PCB板通過紅外光譜分析判斷其是否有機物污染，若有，檢測出有機物種類；通過元素分析判斷其是否有無機物污染，若有，檢測出無機物種類；S3：對步驟S1中判斷有污染或開裂的PCB板進行電性能檢測，判斷其是否有電性異常；本發明的PCBA失效分析方法對PCB板的失效分析全面，本發明通過外觀光學檢查、污染物檢測、電性能檢測、X?RAY射線檢測、金相顯微鏡檢測和SEM+EDS分析，能夠有效的檢測處PCB板的失效原因。

失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法 728     

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本發明公開了一種失效分析中分析晶格缺陷的TEM樣品制備新方法。該方法使用手動研磨代替聚焦離子束來制備TEM樣品，使樣品中的晶格缺陷在極小或極淺的情況下均能被發現，而且不受晶格缺陷的方向的影響。極大地促進了晶格缺陷的發現與觀測，準確率高，對TEM樣品的制備的研究具有重要意義。

液晶面板測試模組及液晶面板失效模式分析方法 1172     

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一種液晶面板測試模組及一種液晶面板失效模式分析方法,其中液晶面板測試模組包含:驅動電路、測試電路以及若干個開關。其中驅動電路包含:若干個信號輸入線及若干個信號輸出線,信號輸出線包含第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組;測試電路包含第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線,分別與第一信號輸出線群組、第二信號輸出線群組和第三信號輸出線群組電連接;以及若干個開關分別位于第一測試信號線、第二測試信號線和第三測試信號線與每一信號輸出線之間。

電子產品的可靠性失效分析檢測方法 971     

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本發明公開了一種電子產品的可靠性失效分析檢測方法，包括以下步驟：S1、在電子產品元件上安裝溫度、電流和電壓監測裝置；S2、將電子產品元件額定范圍輸入分析檢測單元并作為第一數據；S3、溫度、電流和電壓監測裝置對電子產品元件實時數據檢測并上傳；S4、上述數據在分析檢測單元中與額定范圍值的最大值進行比較計算，超出額定值關閉電子產品元件；S5、將失效數據通過失效數據顯示單元進行顯示。本發明分析檢測方法簡單明了，通過數次檢測即可得出影響電子產品元件可靠性的主要原因，并針對性的進行改進，提高電子產品元件使用的可靠性，延長電子產品元件使用壽命，適合進行推廣。

電容失效分析檢測方法 819     

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本發明涉及一種電容失效分析檢測方法，包括如下步驟：外觀檢查；內視檢測，通過探傷檢測設備對失效電容進行失效點定位，并確定失效點位置；初步確認失效原因，根據失效點位置列出可能的失效原因；模擬試驗，根據失效原因對良品電容進行針對性的通電模擬，驗證可能的失效原因，并將良品電容在失效損毀后的失效點情況與失效電容的失效點位置進行比對，確定失效原因；金相檢測，將失效電容制成失效點位置的金相切片并在金相顯微鏡下觀察確認，再使用掃描電鏡和能譜分析儀對金相切片進行掃面分析，驗證確定電容失效損毀原因并給出分析結論。本發明能夠快速、高效地確認電容失效的根本原因，通過電容失效分析實現對于電子系統的工作可靠性的提高。

新型集成電路失效分析檢測方法 785     

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本申請實施例涉及一種新型集成電路失效分析檢測方法。根據本申請的一實施例，新型集成電路失效分析檢測方法包括：對集成電路組件進行封膠以得到包含新型集成電路的膠柱體，其中集成電路組件包括晶片和襯底，襯底具有第一表面和與第一表面相對的第二表面，晶片位于襯底的第一表面上；以及從靠近襯底的第二表面的膠柱體的底面進行研磨至暴露襯底。本申請實施例提供的新型集成電路失效分析檢測方法可有效解決傳統技術中遇到的問題。