本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠工藝,屬于光伏技術領域。該工藝包括下述步驟:1)裝料階段:將硅料裝填入坩堝,轉移坩堝至鑄錠爐;2)加熱、熔化階段:關閉隔熱籠,在真空條件下加熱、熔化硅料,在熔化階段的坩堝內部達到預設溫度后調整隔熱籠的開度;3)長晶階段:調整隔熱籠的開度為全部開度的30%?70%,長晶溫度為1410?1460℃;4)液態硅長晶結束后,退火、冷卻,即制得多晶硅錠。該工藝制備的多晶硅的良率高,對晶硅少子的壽命長,多晶硅底部紅區的短;工藝周期短,生產效率高;噴涂氮化硅的坩堝不與多晶硅鑄錠粘鍋;坩堝表面的噴涂的氮化硅為疏松粗糙表面,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存,周期短良率高。
本申請公開了一種多晶硅半熔鑄錠工藝,屬于光伏技術領域。該多晶硅半熔鑄錠工藝包括下述步驟:1)裝料階段:將硅料裝填入坩堝,轉移坩堝至鑄錠爐;2)加熱、熔化階段:關閉隔熱籠,將鑄錠爐抽至真空,加熱、熔化硅料,在熔化階段中后期逐步打開隔熱籠至第一開度;3)長晶階段:控制隔熱籠的上升速度調整坩堝底部的溫度控制長晶速度,結晶階段的隔熱籠的上升至少包括順序調整的第一上升速率、第二上升速率和第三上升速率三個階段;4)退火、冷卻階段即制得多晶硅錠。該工藝制備的多晶硅高效產出率高,多晶硅錠的長晶初期形成的底部的缺陷少。
本申請公開了一種多晶硅半熔鑄錠用坩堝及其噴涂工藝和應用,屬于光伏技術領域。該多晶硅半熔鑄錠用坩堝,包括坩堝本體和噴涂在坩堝本體內部表面的氮化硅層,所述氮化硅層的厚度為1mm?2mm。該坩堝可防止坩堝本體中的雜質滲入多晶硅鑄錠中,并且不會在多晶硅鑄錠過程中脫落而與坩堝本體粘連;該坩堝的制備工藝簡單,坩堝表面的氮化硅層光滑;使用該坩堝制備多晶硅錠的良率高。
本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠工藝及其用坩堝,屬于光伏技術領域。該多晶硅全熔鑄錠用坩堝包括坩堝本體和依次固定在坩堝內底部的石英砂和第一脫膜層,所述坩堝本體內側面涂覆第二脫膜層。第一脫膜劑和第二脫膜劑均包含氮化硅。本申請的坩堝即可以防止多晶硅的氧化,又可以防止多晶硅錠的粘鍋,坩堝底部的疏松粗糙表面提供了多種引晶方式,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存縮短了多晶鑄錠的周期,多晶鑄錠的良率高。
本申請公開了一種多晶硅全熔鑄錠用坩堝及其制備方法和應用,屬于光伏技術領域。該多晶硅全熔鑄錠用坩堝的制備方法,包括下述步驟:1)將坩堝的內底部固定石英砂顆粒;2)將步驟1)制備的坩堝內底部噴涂第一脫膜層,坩堝內側壁噴涂第二脫膜層;所述第一脫膜層的厚度大于第二脫膜層的厚度。第一脫膜劑和第二脫膜劑均包含氮化硅。本申請的方法制備的坩堝即可以防止多晶硅的氧化,又可以防止多晶硅錠的粘鍋,坩堝底部的疏松粗糙表面提供了多種引晶方式,具有石英砂形核、縫隙形核和氮化硅形核,多種引晶并存縮短了多晶鑄錠的周期,多晶鑄錠的良率高。
本發明公開了一種齒科修復用陶瓷材料,其特征在于,以下重量百分比計,其組成為:SiO255?70wt%,Li2O 11?25wt%,ZrO26?25wt%,K2O 2?10wt%,Na2O0?5wt%,Al2O31?7wt%,Nd2O31?3wt%和Y2O35?12wt%,所述陶瓷材料具有大于55%的可見光透過率,和強度大于440MPa。本發明還公開了該齒科修復用陶瓷材料的制備方法和使用該陶瓷材料制備的牙齒修復體。
本發明公開了一種氮化硅結合碳化硅粉煤灰基復合耐火材料的制備方法,先將煤矸石、硅尾礦石、粉煤灰、鋁灰、硫酸鈣晶須混合,燒結,得到復合基料;再將碳化硅、氮化硅和硫酸鋁混合,用硅烷偶聯劑進行表面改性;然后將氧化硼與碳酸鈉、氧化鋁、硬脂酸鋅,升溫反應,得到氧化硼?氧化鋁復合粉體;最后將復合基料、改性混合物、氧化硼?氧化鋁復合粉體、酚醛樹脂、糊精、羧甲基纖維素混合,采用半干壓法成型,制成試樣,試樣經干燥后,置于高溫爐中煅燒,保溫,即得。本發明使用粉煤灰、鋁灰、煤矸石等作為基料制備了耐火材料,通過添加采用硅烷偶聯劑改性的碳化硅和氮化硅,使得耐火材料的物理性能和使用性能良好。
本發明公開了一種燒結法玻璃陶瓷著色劑,其包括色料和溶劑;所述色料由Er、Pr、Al和Fe(III)的可溶性鹽構成,Er3+、Pr3+、Al3+和Fe3+的摩爾比為(1?3.9):(0.2?0.6):(0.3?1.1):(0.1?0.7);所述溶劑選自水或醇或其混合物。采用本發明的燒結法玻璃陶瓷著色劑制備的齒科修復體具有良好的硬度和接近自然牙齒的外觀。
本發明提供了一種多孔陶瓷流延漿料、多孔陶瓷霧化芯及制備方法,涉及電子煙技術領域。該多孔陶瓷流延漿料包括分子篩和陶瓷骨料。分子篩包括氧化硅基分子篩,分子篩的孔尺寸為1nm?100nm,比表面積為200m2/g?500m2/g。陶瓷骨料包括硅藻土、長石和石英砂中的至少一種。該多孔陶瓷流延漿料制成的多孔陶瓷霧化芯,使陶瓷霧化界面具有大量納米級微孔,孔徑均勻。大量微孔在霧化芯中作為起霧點,增大電子煙的出煙煙霧量,霧化量提升30%?50%,孔徑均勻使得口感一致性好,口感飽滿細膩,更好的滿足消費者的需求。
本發明提出一種具有不同透光性的硅酸鋰玻璃或硅酸鋰玻璃陶瓷坯體的制備方法,屬于硅酸鋰玻璃技術領域。該方法包括以下步驟:將基礎玻璃組分按配方量稱取,混合均勻后于高溫下熔制;將充分熔制的玻璃液水淬成玻璃熔塊,并研磨至所需粒度的玻璃粉;將所得玻璃粉與著色劑和/或熒光劑混合均勻,干壓或等靜壓成型;將成型后的坯體于真空氣氛下進行燒結,通過調節真空氣氛下的真空度,得到不同透光性的硅酸鋰玻璃或硅酸鋰玻璃陶瓷坯體。本發明提供的方法在真空燒結過程通過控制真空度的方式即可實現調節相同配方下二硅酸鋰玻璃陶瓷的透光性,相較于現有技術中通過調整配方來實現透光性的變化而言方法更加簡單,可操作性更強。
本發明涉及一種汽車剎車盤用碳/碳化硅復合材料的制備方法。取微硅粉、環氧樹脂、200號溶劑油、聚乙烯亞胺,混合均勻,升溫,保溫,放冷后得到混合物I;取石墨粒、醇酸樹脂、聚甲基丙烯酸銨,混合均勻,升溫,保溫,放冷后得到混合物I;將混合物I與混合物II進行混合,烘干,球磨,得到混合物III;將混合物III與酚醛樹脂、氧化鋁纖維、玻璃纖維、氧化鋁、碳化硅、煅燒石油焦碳、天然橡膠、鈦酸鉀晶須混合均勻,在真空燒結爐中進行燒結后,得到碳/碳化硅復合材料。本發明利用兩種性質相反的分散劑分別改性微硅粉和石墨粉,使其表面帶有不同的電荷,可以更好地使碳與硅的相互包覆,燒結之后生成的SiC微球性能更好。
本發明公開了一種納米鈦粉改性提高燒結釹鐵硼矯頑力和工作溫度方法。其步驟為:1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或采用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片,晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶;2)將主相合金和晶界相合金分別制粉;3)將納米鈦粉添加到晶界相合金粉末中混合;4)主相合金和晶界相合金粉末混合后在磁場中壓制成型;5)在高真空燒結爐內制成燒結磁體。本發明制得的燒結釹鐵硼矯頑力高,工作溫度高,此工藝可以用于大規模批量生產,通過本發明可以制備出高矯頑力、高工作溫度的燒結釹鐵硼。
本發明公開了一種氮化硼納米管晶界相添加制備高強韌性磁體方法。其步驟為:1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金,晶界相合金采用快淬工藝制成快淬帶;2)將主相合金和晶界相合金分別制粉;3)將氮化硼納米管添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁場中壓制成型;5)在高真空燒結爐內制成燒結磁體。本發明制得的燒結釹鐵硼強韌性高,可以用于大規模批量生產,通過本發明可以制備出高強韌性的燒結釹鐵硼。
本發明公開了一種燒結釹鐵硼球磨加氫制備方法。它的步驟為:1)釹鐵硼合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或用速凝薄片工藝制成速凝薄片;2)將鑄錠合金或速凝薄片放入球磨罐中,并通入氫氣,球磨制成細粉;3)將細粉、汽油和抗氧化劑在混料機中均勻混合,得到混合粉末;4)混合粉末在1.2-2.0T的磁場中壓制成型坯件;5)將型坯件放入高真空燒結爐內,在1050-1120℃燒結2-4H,再經過500-650℃熱處理回火2-4H,制得燒結磁體。本發明的磁體球磨制粉效率高,簡化了生產工藝,降低了生產成本,而且制得的磁體氧含量比傳統球磨工藝低,磁性能大幅提高,可批量化生產燒結釹鐵硼。
本發明公開了一種納米鋁粉晶界改性制備高矯頑力、高耐蝕性磁體方法。其步驟為:1)主相合金采用鑄造工藝制成釹鐵硼鑄錠合金或采用速凝薄片工藝制成釹鐵硼速凝薄片,晶界相合金采用鑄造工藝制成鑄錠合金或速凝薄片工藝制成速凝薄片或快淬工藝制成快淬帶;2)將主相合金和晶界相合金分別制粉;3)將納米鋁添加到晶界相合金粉末中;4)混合后的主相合金和晶界相合金粉末在磁場中壓制成型;5)在高真空燒結爐內制成燒結磁體。本發明制得的燒結釹鐵硼矯頑力高,耐腐蝕性好,此工藝可以用于大規模批量生產,通過本發明可以制備出高矯頑力、高耐腐蝕性的燒結釹鐵硼。
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