DE400DHL電子束蒸發鍍膜系統配置一個多坩堝電子束蒸發源,可在基片蒸發沉積金屬、半導體或介質材料,是制備lift-off工藝薄膜和低微材料的理想平臺。
特點
可選等離子體基片清洗
可選基片氧化
主要配置
蒸發腔體:不銹鋼腔體
真空閥門:高真空閥門
真空測量:寬量程真空計
蒸發源:多坩堝電子束蒸發源
樣品臺:
自轉基片
可選可傾角和自轉基片臺
(可選加熱至900℃)
(可選冷卻至-150℃)
膜厚檢測:晶振速率膜厚監控
預真空樣品室: 單基片或多基片裝載能力、全自動送樣
主要技術指標
極限真空度:3E-8 Torr
基片尺寸:可選:2英寸、4英寸、6英寸、8英寸、12英寸
膜厚均勻性:優于+/-3%
蒸發速率分辨率:0.01 A/s
膜厚分辨率:0.1 A